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“各位董事,要是EUV LLC联盟在未来二年内从理论上证明研制EUV光刻机的技术可行,将这个宝贵的机会和重任交给GCA,公司不可能放弃,但投资巨大,半导体产业陷入衰退又不可避免,避免两线作战,造成资金捉襟见肘,我们只能将重心放在EUV光刻机的研制上。我建议艾德里安先生和汤普森院长出面找SVG商谈,联合开发157nm激光器。”
孙健估计,EUV LLC联盟在明年底前就能证明制造EUV光刻机在理论上的可行性,但EUV光刻机量产最起码还需要10年,如今也不能告诉大家,到时由BSEC免费提供193nm浸没式光刻机专利技术给GCA。
BSEC是在GCA拥有的第一代193nmArF准分子激光器专利技术基础上研发成功193nm浸没式光刻机技术,核心还是GCA拥有技术专利的193nm准分子激光器,GCA研制的第二代、第三代193nm准分子激光器也授权BSEC技术;虽然浸没式光刻技术属
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